Современное состояние электроники реферат

Онуфрий

Фотолитография является основным технологическим процессом в микроэлектронике при получении линий шириной до 1 мкм и его долей. Устройство состоит из трех электродов размещенных на германиевом блоке, как показано на Рис. В 30—е годы были заложены основы радиотелевидения. Проблема качества монтажно-сборочных работ стало основной проблемой изготовителей при обеспечении работоспособности и надежности радиоэлектронных устройств. Проблемы импортозамещения в российском ИКТ-секторе РФ , производство , российская микроэлектроника, электронная промышленность , IBM, Россия , замещение импорта, аналог, проблема, различная продукция, радиоэлектронная промышленность В году Плюккер установил, что спектр Гейслеровой трубки, вытянутой в капилляр и помещенной перед щелью спектроскопа, однозначно характеризует природу заключенного в ней газа и открыл первые три линии так называемой Бальмеровской спектральной серии водорода.

Краткая историческая современное состояние электроники реферат о развитии интегральных схем. Американские и советские ученные, которые внесли огромный вклад в разработку и дальнейшее развитие интегральных схем.

Заказчики и потребители первых разработок микроэлектроники и ТС Р Этапы и тенденции развития микроэлектроники. Кремний и углерод как материалы технических и живых систем. Физическая природа свойств твёрдых тел. Ионные и электронные полупроводники.

Перспективные материалы для электроники: серое олово, теллурид ртути.

[TRANSLIT]

История становления электроники. Перспективы науки микроэлектроники. Двухэлектродная лампа Флеминга. Термоэлектронная эмиссия. Управление током между катодом и анодом. Создание специальных электронных приборов для сверхвысоких частот. Первый транзистор. Интегральные микросхемы. Подложки толстопленочных микросхем. Толстопленочные проводники и резисторы. Основные свойства резистивных пленок. Удельное сопротивление сплошной толстой пленки. Исследование и оценка главных преимуществ, недостатков электропроводящих полимеров.

Он родился в году в Польше. Начавшееся изучение спектров поглощения и излучения различных тел привело немецкого ученого Плюккера к созданию Гейслеровых трубок. Все это позволяет сделать вывод о том, что микроэлектроника как очередной исторический этап развития электроники характеризуется органическим единством физических, конструктивно-технологических схемотехнических аспектов.

Развитие элементной базы основано на потребностях СМЭ, достижениях физики, технологии, производства. Микроэлектроника базируется на интеграции дискретных элементов электронной техники, а каждый элемент схемы формируется в полупроводниковом кристалле. Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.

Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке. Главная База знаний "Allbest" Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника Современное состояние и тенденции развития электроники - подобные реферат.

Современное состояние и тенденции развития электроники Тенденции развития мировой микроэлектроники. Новые методы оценки сегментации рынка. Проблемы кремниевых заводов. Развитие традиционных технологий корпусирования. Системы на кристалле. Технология сборки на пластине. Органическая и печатная электроника. Разделы электроники, ее роль. Кристадин Лосева позволял не только увеличить дальность приема радиостанции, но был проще и дешевле.

Интерес к кристадину в то время был огромный. Продолжая исследование кристаллических детекторов, Лосев открыл свечение карборунда при прохождении через него электрического тока.

Спустя 20 лет это же явление было открыто американским физиком Дестрио и получило название электролюминесценции. Важную роль в развитии теории полупроводников в начале х годов сыграли работы проводимые в Реферат под руководством академика А.

В году он опубликовал статью с пророческим названием: "Полупроводники — новые материалы электроники". Немалую заслугу в исследование полупроводников внесли советские ученые — Б. Курчатов, В. Жузе и др. В современное состояние электроники реферат работе — "К вопросу об электропроводности закиси меди", опубликованной в году, они показали, что величина и тип электрической проводимости определяется концентрацией и природой примеси.

Немного позднее, советский физик — Я. Френкель создал теорию возбуждения в полупроводниках парных современное состояние заряда: электронов и дырок. Эта обширная программа исследований, выполняемая учеными разных стран и привела к экспериментальному созданию сначала точечного, а затем и плоскостного транзистора.

Лилиенфельд — автор этих потентов. Он родился в году в Польше. Предложенные Лилиенфельдом электроники не были внедрены в производство. В описании к патенту формулируется, что проводимость тонкой области полупроводникового канала модулируется входным сигналом, поступающим на затвор через входной трансформатор. Подавая переменный сигнал на затвор, расположенный очень близко к проводнику, получаем изменение сопротивления полупроводника 2 между стоком и истоком. При низкой частоте можно наблюдать колебание стрелки амперметра 7.

Данное изобретение является прототипом полевого транзистора с изолированным затвором. Работа была прервана второй мировой войной, но уже перед отъездом на фронт Шокли предложил два транзистора. Исследования по транзисторам возобновились после войны, когда в середине г.

Шокли вернулся в "BTL", а в г. Шокли описал униполярный полевой транзистор с управляющим электродом, состоящим, как показано на рис. Предложенный Шокли полевой транзистор состоит из полупроводникового стержня n-типа канал n-типа с омическими выводами на торцах.

В качестве полупроводника использован кремний Si. На поверхности канала с противоположных сторон формируется p-n-переход, таким образом, чтобы он был параллелен направлению тока в канале. Рассмотрим как течет ток между омическими контактами истока и стока.

Современное состояние электроники реферат 5441

Проводимость канала определяют основные носители заряда для данного канала. В нашем случае электроны в канале n-типа.

Вывод, от которого носители начинают свой путь, называется истоком. Второй омический электрод, к которому подходят электроны, — сток. Третий вывод от p-n- перехода называют затвор. Точное описание процессов в полевом транзисторе представляет определенные трудности.

Владимир Мухортов - Перспективы развития электроники будущего

Поэтому, Шокли предложил упрощенную теорию униполярного транзистора в основном объясняющую свойства этого прибора. При изменении входного напряжения исток-затвор изменяется обратное напряжение на p-n- переходе, что приводит к изменению толщины запирающего слоя.

Соответственно изменяется площадь поперечного сечения n-канала, через который проходит поток основных носителей заряда, то есть выходной ток. При высоком напряжении затвора запирающий слой становится все толще и площадь поперечного сечения уменьшается до нуля, а сопротивление канала увеличивается до бесконечности и транзистор запирается.

Электроники реферат и Хайман описали современное состояние конструкцию полевого транзистора, где используется поле в диэлектрике, расположенном между пластиной полупроводника и металлической пленкой. Такие транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник называются МДП-транзисторы.

В период с по гг. Три фактора способствовали стремительному развитию полевых транзисторов в е годы: 1 Развитие физики полупроводников и прогресс в технологии полупроводников, что позволило получить приборы с заданными характеристиками.

Возникновение кремниевой долины связывают с именем Ф. Термена — декана инженерного факультета Стенфордского университета, когда его студенты Хьюлетт, Паккард и братья Вариан создали фирмы, прославившие их имена во время второй мировой войны.

Микроэлектроника. Новая быстро развивающаяся технология

Бурное развитие кремниевой долины началось, когда Шокли покинул "BTL" и основал собственную фирму по производству кремниевых транзисторов при финансовой помощи питомца Калифорнийского политехнического института А. Его фирма начала работу осенью г.

7480045

Вскоре 8 специалистов Нойс, Мур, Гринич, Робертс, Хорни, Ласт, Клейнер, Блэнк договорились с Беккманом и создали отдельную самостоятельную фирму "Fairchild Semiconductor Corporation" в основе деятельности, которой лежало массовое производство высококачественных кремниевых биполярных транзисторов. В качестве первого изделия был выбран в г. Он требовал всего лишь два процесса фотолитографии для создания эмиттера и металлических контактов. Термин мезатранзистор был предложен Эрли из "BTL".

Введя дополнительную операцию фотолитографии, Хорни заменил мезаструктуру коллектора диффузионным карманом и закрыл место пересечения эмиторного и коллекторного переходов с современное состояние электроники реферат термическим оксидом oС. Технологию таких транзисторов Хорни назвал планарным процессом. Хорни в году создал Union Corbide Electronics, в году — Intersil. Ежегодно создавалось по четыре фирмы, и за период с по г.

Рост продолжается и. Он стимулируется близостью Стенфордского и Калифорнийского университета и активным участием их сотрудников в деле организации фирм Рис.

Ваш IP-адрес заблокирован.

Са Хорсли Джонс 12 чел. В процессе производства первых в мире транзисторов были отработаны отдельные технологические процессы и разработаны методы контроля параметров. Накопленный опыт позволил перейти к выпуску более совершенных приборов, которые уже могли работать на частотах до 10 МГц.

В дальнейшем на смену точечным транзисторам пришли плоскостные, обладающие более высокими электрическими и эксплуатационными качествами. Первые транзисторы типа П1 и П2 предназначались для усиления и генерирования электрических колебаний с частотой до кГц. Затем появились более мощные низкочастотные транзисторы П3 и П4 применение которых в 2-х тактных усилителях позволяло получить современное состояние электроники реферат мощность до нескольких десятков ватт.

По мере развития полупроводниковой промышленности происходило освоение новых типов транзисторов, в том числе П5 и П6, которые по сравнению со своими предшественниками обладали улучшенными характеристиками. Шло время, осваивались новые методы изготовления транзисторов, и транзисторы П1 — П6 уже не удовлетворяли действующим требованиям и были сняты с производства.

  • Подавая отрицательный импульс на подкатод 1 и следом на 2, переносят заряд на К1 и К2.
  • Важную роль в развитии теории полупроводников в начале х годов сыграли работы проводимые в России под руководством академика А.
  • Технологически российские предприятия могут их изготовить, но для этого необходимо сначала спроектировать тот или иной компонент.
  • Большое значение для техники дециметровых волн имели работы Девяткова, Хохлова, Гуревича, которые в — годах сконструировали триоды с плоскими дисковыми электродами.
  • Создание первой интегральной схемы Килби.
  • Эта обширная программа исследований, выполняемая учеными разных стран и привела к экспериментальному созданию сначала точечного, а затем и плоскостного транзистора.

Вместо них появились транзисторы типа П13 — П16, П — П, которые тоже относились к низкочастотным непревышающим кГц. Столь низкий частотный предел объясняется способом изготовления этих транзисторов, осуществляемым методом сплавления.

Транзисторы способные генерировать современное состояние электроники реферат усиливать электрические колебания с частотой в десятки и сотни МГц появились значительно позже — это были транзисторы типа П — П, которые положили начало применению нового диффузионного метода изготовления полупроводниковых приборов. Такие транзисторы называют диффузионными.

Дальнейшее развитие шло по пути совершенствования как современное состояние электроники реферат, так и диффузионных транзисторов, а так же созданию и освоению новых методов их изготовления.

Предпосылки появления микроэлектроники 5. С появлением биполярных полевых транзисторов начали воплощаться идеи разработки малогабаритных ЭВМ. На их основе стали создавать бортовые электронные системы для авиационной и космической техники. Так как эти устройства содержали тысячи отдельных ЭРЭ электрорадиоэлементов и постоянно требовалось все большее и большее их увеличение, появились и технические трудности.

С увеличением числа элементов электронных систем практически не удавалось обеспечить их работоспособность сразу же после сборки, и обеспечить, в дальнейшем, надежность функционирования систем. Даже опытные сборщики и наладчики ЭВМ допускали несколько ошибок на спаек.

Характеристики плоскостного выпрямителя можно точно определить теоретически. Для работы такого иконоскопа требуется очень большая освещенность передаваемого объекта. Основы микросхемотехники. Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т. Аналоговые интегральные микросхемы.

Разработчики предполагали новые перспективные схемы, а изготовители не могли запустить эти схемы сразу после сборки так как при монтаже не удавалось избежать ошибок, обрывов в современное состояние электроники реферат за счет не пропаев, и коротких замыканий.

Требовалась длинная и кропотливая наладка. Проблема качества монтажно-сборочных работ стало основной проблемой изготовителей при обеспечении работоспособности и надежности радиоэлектронных устройств. Решение проблемы межсоединений и явилось предпосылкой к появлению микроэлектроники. Прообразом будущих микросхем послужила печатная плата, в которой все одиночные проводники объединены в единое целое и изготавливаются одновременно групповым методом путем стравливания медной фольги с плоскостью фольгированного диэлектрика.

Единственным видом интеграции в этом случае являются проводники. Применение печатных плат хотя и не решает проблемы миниатюризации, однако решает проблему повышения надежности межсоединений.

Современное состояние электроники реферат 9962

Технология изготовления печатных плат не дает возможности изготовить одновременно другие пассивные элементы кроме проводников. Именно поэтому печатные платы не превратились в интегральные микросхемы в современном понимании.

Рынок ценных бумаг россии рефератДипломная работа повышение эффективности деятельностиОсновные особенности разговорного стиля современного русского языка доклад
Достопримечательности мытищинского района докладКак написать реферат к дипломной работеДоклад о происхождении баскетбола
Год культуры в российской федерации рефератРеферат на тему основные направления современной биотехнологииКак написать новизну в курсовой работе
Лечение острого панкреатита рефератРеферат на тему электротравмы и первая помощьДоклад на тему виды теплопроводности в быту

Первыми были разработаны в конце х годов толстопленочные гибридные схемы, в основу их изготовления была положена уже отработанная технология изготовления керамических конденсаторов, использующая метод нанесения на керамическую подложку через трафареты паст, содержащих порошок серебра и стекла.

Переход современное состояние электроники реферат изготовлению на одной подложке нескольких соединенных между собой конденсаторов, а затем соединение их с композиционными резисторами, наносимыми также с помощью трафарета, с последующим вжиганием привело к созданию гибридных схем, состоящих из конденсаторов и резисторов.

Вскоре в состав гибридных схем были включены и дискретные активные и пассивные компоненты: навесные конденсаторы, диоды и транзисторы. В дальнейшем развитии гибридных схем навесным монтажем были включены сверхминиатюрные электровакуумные лампы. Такие схемы получили название толстопленочные гибридные интегральные микросхемы ГИС.

Тонкопленочная технология производства интегральных микросхем включает в себя нанесение в вакууме на гладкую поверхность диэлектрических подложек тонких пленок различных материалов проводящих, диэлектрических, резистивных. В е годы огромные усилия исследователей были направлены на создание тонкопленочных активных элементов. Однако надежно работающих транзисторов с воспроизводимыми характеристиками никак не удавалось получить, поэтому в тонкопленочных ГИС продолжают использовать активные навесные элементы.

К моменту изобретения интегральных микросхем из полупроводниковых материалов уже научились изготавливать дискретные транзисторы и резисторы. Для изготовления конденсатора уже использовали емкость обратно смещенного p-n перехода. Для изготовления резисторов использовались омические свойства кристалла полупроводника. На очереди стояла задача объединить все эти элементы в одном устройстве. Планарная технология. При планарной технологии требуется обеспечить возможность создания рисунка тонких слоев из материала с различными электрическими характеристиками, чтобы получить электронную схему.

Важная особенность планарной технологии заключается в ее групповом характере: все интегральные схемы ИС на пластине изготавливают в одном технологическом цикле, что позволяет одновременно получать несколько полупроводниковых схем. Основное достоинство техники эпитаксии состоит в возможности получения чрезвычайно чистых пленок при современное состояние электроники реферат возможности регулирования уровня легирования.

Применяют три типа эпитаксиального наращивания: газовую, жидкостную и молекулярную.

История развития электроники

Современное состояние электроники реферат А. Устойчивое развитие мировой урановой промышленности : вызов времени Россияядерная медицина, атомная энергия, источник излучения, реактор, Российская Федерациякороткоживущий изотоп, водоводяной реактор, атомный ледокольный флот Современное состояние электроники реферат развитие РКО может быть связано с обновлением основных фондов действующих предприятий.

В данной статье производится обзор состояния мирового рынка высокотехнологичных отраслей промышленноститаких как: аэрокосмическая. Основные термины генерируются автоматически : развитиеIDC, человек населения, федеральный орган власти, рынокРоссийская Федерацияразвитие рынкапроект, период Развитие текстильной и легкой промышленности России характеризуется значительной.

Авдонин Б. Методология реструктуризации радиоэлектронной Опубликовать статью в журнале Современное состояние и основные тенденции развития радиоэлектронной промышленности в Российской Федерации. Автор : Филиппов Александр Александрович Рубрика : 4. Скачать электронную версию. Библиографическое описание: Филиппов А. Ключевые слова инновационное развитиеинвестиционная политикарадиоэлектронная промышленностьрост эффективности труда. Похожие статьи Выявление проблем и предложения по их решению для оборонных Проблемы импортозамещения в российском ИКТ-секторе РФпроизводствороссийская микроэлектроника, электронная промышленностьIBM, Россиязамещение импорта, аналог, проблема, различная продукция, радиоэлектронная промышленность Инновационный потенциал как основа развития химической